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El proceso de 3 μm (proceso de 3 micrómetros ) es el nivel de tecnología de proceso de semiconductores MOSFET que se alcanzó alrededor de 1977, [1] [2] por empresas como Intel .
El proceso de 3 μm se refiere al tamaño mínimo que se puede producir de manera confiable. Los transistores y otros elementos de circuito más pequeños en un chip fabricado con este proceso tenían un ancho de aproximadamente 3 micrómetros.
Productos con proceso de fabricación de 3 μm
- Las CPU 8085 , 8086 y 8088 de Intel , lanzadas en 1976, 1978 y 1979 respectivamente, se fabricaron utilizando su proceso NMOS ( HMOS ) de 3,2 μm. [1] [ verificación fallida ] . [3] [ dudoso – discutir ]
- El chip de memoria SRAM HM6147 de 4 kbit de Hitachi , lanzado en 1978, introdujo el proceso CMOS de doble pozo , a 3 μm. [4]
- La CPU Motorola 68000 (MC68000), lanzada en 1979, se fabricó originalmente utilizando un proceso HMOS con un tamaño de característica de 3,5 μm. [5] [ referencia circular ]
- El ARM1 se lanzó en 1985 y se fabricó mediante un proceso de 3 μm. [6]
Referencias
- ^ ab Mueller, S (21 de julio de 2006). "Microprocesadores desde 1971 hasta la actualidad". informIT . Consultado el 11 de mayo de 2012 .
- ^ Myslewski, R (15 de noviembre de 2011). "¡Feliz 40.° cumpleaños, Intel 4004!". TheRegister.
- ^ "Historia del microprocesador Intel - Listoid". Archivado desde el original el 27 de abril de 2015 . Consultado el 5 de enero de 2014 .
- ^ "1978: SRAM CMOS rápida de doble pozo (Hitachi)" (PDF) . Museo de Historia de Semiconductores de Japón . Archivado desde el original (PDF) el 5 de julio de 2019. Consultado el 5 de julio de 2019 .
- ^ Motorola 68000
- ^ "La carrera de ARM hacia la dominación mundial integrada".