Tecnologías de memoria ChangXin

ChangXin Memory Technologies ( CXMT ; chino :长鑫存储; pinyin : Chángxīn Cúnchú ) ^{[ a ]} es un fabricante chino de dispositivos integrados semiconductores con sede en Hefei , Anhui , especializado en la producción de memoria DRAM .

A partir de 2020ChangXin fabricaba memoria LPDDR4 y DDR4 en un proceso  de 19 nm , con una capacidad de 40 000 obleas al mes. ^{[ 2 ]} La empresa producía 720 000 obleas por trimestre a finales de 2025. ^{[ 3 ]}

En 2025, presentó la memoria DRAM DDR5 y planeó una oferta pública inicial en Shanghái para financiar mejoras en la producción e investigación y desarrollo avanzados de DRAM. ^{[ 4 ]}

Junto con Fujian Jinhua Integrated Circuit (JHICC) y Xi'an UniIC Semiconductors, Innotron fue una de las plantas chinas de semiconductores establecidas en 2016 para competir con los fabricantes mundiales de memoria de computadora. ^{[ 5 ] [ 6 ] [ 7 ]} En 2017, se anunció un acuerdo de 7.200 millones de dólares para una planta de fabricación de producción de 125.000 obleas de 12" (300 mm) por mes. ^{[ 8 ]} La fábrica de Innotron se completó a mediados de 2017, ^{[ 6 ]} y el equipo de producción se instaló en la planta a finales de 2017. Las pruebas y la producción en masa estaban programadas para finales de 2018 y principios de 2019. ^{[ 9 ] [ 10 ]} En 2018, se informó que el CEO Zhu Yiming visitó ASML para discutir la compra de máquinas de litografía ultravioleta extrema . ^{[ 10 ]}

Inicialmente, se pensó que Innotron había elegido la memoria LPDDR4 de 8 GB como su primer producto. En ese momento, los analistas afirmaron que los problemas de patentes y propiedad intelectual representarían una barrera para competir con los principales fabricantes. ^{[ 6 ]} A mediados de 2018,  se informó que había comenzado la producción de prueba de LPDDR4 de 8 GB de 19 nm. ^{[ 11 ]} La capacidad inicial de Innotron era de aproximadamente 20 000 obleas por mes; una producción pequeña en términos de la industria en general. ^{[ 5 ]}

En 2019, se informó que Innotron, que había cambiado su nombre a Changxin Memory Technologies , había realizado algunos cambios de diseño en un intento de evitar posibles sanciones relacionadas con la tecnología derivadas de la guerra comercial entre China y Estados Unidos . ^{[ 12 ]} En diciembre de 2019, en una entrevista con EE Times , la compañía declaró que su primera fábrica estaba en producción y producía 20 000 obleas por mes, fabricando DRAM LPDDR4 y DDR4 de 8 GB a 19  nm. ^{[ 1 ]}

Según se informa, la empresa aumentó la producción al 6% de la producción mundial de DRAM a partir del primer trimestre de 2025, con el objetivo de aumentarla al 10% para el cuarto trimestre de 2025. ^{[ 13 ]} Comenzó a vender SDRAM DDR5 alrededor del inicio de 2025. ^{[ 14 ]}

El prospecto de la OPI de 2026 identificó al emisor como ChangXin Technology Group Co., Ltd., también conocida en inglés como CXMT Corporation. Declaró que la empresa no tenía un accionista mayoritario ni un controlador efectivo. El prospecto identificó a cinco accionistas directos que poseían más del 5% de la empresa: Qinghui Jidian con el 21,67%, ChangXin Integrated con el 11,71%, China Integrated Circuit Industry Investment Fund Phase II con el 8,73%, Hefei Jixin con el 8,37% y Anhui Investment con el 7,91%. ^{[ 15 ]}

Reuters informó en diciembre de 2025 que CXMT planeaba recaudar 29.500 millones de yuanes mediante una oferta pública inicial de 10.600 millones de acciones en Shanghái. ^{[ 4 ]} El prospecto describía la cotización prevista como una oferta de acciones ordinarias en renminbi en el mercado STAR de la Bolsa de Shanghái y decía que la emisión pública representaría al menos el 10 % del capital social posterior a la emisión antes de cualquier opción de sobreasignación. ^{[ 15 ]} En junio de 2026, la Comisión Reguladora de Valores de China aprobó el registro de la OPI, con una validez de 12 meses a partir de la fecha de registro. ^{[ 16 ]}

El prospecto indicaba que los ingresos netos previstos se destinarían a tres proyectos: 7.500 millones de yuanes para mejoras tecnológicas en la línea de producción de obleas de memoria, 13.000 millones de yuanes para mejoras tecnológicas en memorias DRAM y 9.000 millones de yuanes para investigación y desarrollo prospectivos de DRAM. ^{[ 15 ]} Reuters informó en junio de 2026 que la salida a bolsa prevista en Shanghái sería la mayor salida a bolsa china del año y formaría parte de una recuperación más amplia de las cotizaciones tecnológicas nacionales. ^{[ 17 ]}

El 16 de julio de 2026, más de 9,4 millones de cuentas de inversores solicitaron acciones en la OPV , presentando solicitudes válidas para casi 817 mil millones de acciones. La demanda minorista fue aproximadamente 212 veces mayor que el número de acciones inicialmente disponibles en línea, lo que provocó una recuperación que transfirió alrededor de 502 millones de acciones del tramo institucional a los inversores minoristas . Después de que la oferta en línea se ampliara a aproximadamente 3,85 mil millones de acciones, la tasa de asignación final fue del 0,47 por ciento. Las ofertas preliminares de 285 inversores institucionales y sus fondos cubrieron aproximadamente 1,24 billones de acciones, equivalente a casi 463 veces el tramo institucional inicial. ^{[ 18 ]}

Reuters informó en diciembre de 2025 que CXMT operaba tres plantas de fabricación de DRAM de 12 pulgadas en Pekín y Hefei . Su folleto informativo, citado por Reuters, indicaba que la empresa había desarrollado cuatro generaciones de tecnología DRAM y poseía el 4% del mercado mundial de DRAM en el segundo trimestre de 2025. El mismo informe señalaba que Samsung Electronics , SK Hynix y Micron Technology, en conjunto, controlaban más del 90% del mercado. ^{[ 4 ]}

El sitio web de CXMT enumera productos DDR5 y módulos DDR5, productos LPDDR5 y LPDDR5X, productos DDR4 y módulos DDR4, y productos LPDDR4X. ^{[ 22 ]} Reuters informó que la compañía presentó sus últimos chips DRAM DDR5 en noviembre de 2025 y planeaba usar los ingresos de una propuesta de oferta pública inicial en Shanghái para actualizar las líneas de producción, desarrollar DRAM avanzada y expandir su línea de productos. ^{[ 4 ]}

La empresa también ha invertido en memoria de alto ancho de banda (HBM), una forma especializada de DRAM utilizada con procesadores de inteligencia artificial. Reuters informó que CXMT tenía previsto comenzar la producción a finales de 2026 en una planta de empaquetado de HBM en Shanghái . ^{[ 4 ]}

En mayo de 2026, Reuters informó, basándose en un prospecto renovado, que CXMT esperaba ingresos para el primer semestre de entre 110.000 y 120.000 millones de yuanes. El informe indicaba que los ingresos del primer trimestre habían aumentado en más del 700% interanual, hasta alcanzar los 50.800 millones de yuanes, y la empresa atribuyó este incremento a los mayores precios de la DRAM, la expansión de la producción y una mejor combinación de productos. ^{[ 23 ]}

CXMT se ha visto involucrada en varios casos de robo de propiedad intelectual. En 2023, diez exempleados de Samsung fueron arrestados por presuntamente robar secretos comerciales de la compañía. El desarrollo de la tecnología robada le costó a Samsung más de mil millones de dólares estadounidenses durante un período de cinco años. En aquel entonces,  el nodo de 10 nm de Samsung era el único proceso utilizado para la producción en masa de  DRAM de 10 nm. Uno de los empleados, un exejecutivo de Samsung, ahora ocupa un puesto como jefe de desarrollo en CXMT. Se alega que los secretos comerciales permitieron a CXMT omitir gran parte de los procesos de desarrollo, que suelen ser costosos y requieren mucho tiempo.

En incidentes separados, dos ingenieros de SK Hynix fueron arrestados. Uno de ellos fue condenado a 18 meses de prisión por presuntamente intentar vender secretos comerciales a Huawei. El otro es sospechoso de intentar filtrar tecnología de proceso HBM obtenida gracias a su puesto en SK Hynix. ^{[ 24 ]}

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