Instituto de almacenamiento de datos

El Data Storage Institute (DSI) (1997–2018) fue una organización nacional de investigación y desarrollo ubicada en Singapur, que estudió las tecnologías de almacenamiento de datos .

DSI se estableció en abril de 1997 a través de la expansión del Centro de Tecnología Magnética (MTC), fundado en junio de 1992 por la Agencia de Ciencia, Tecnología e Investigación, o A*STAR (entonces conocida como la Junta Nacional de Ciencia y Tecnología) y la Universidad Nacional de Singapur (NUS).

El objetivo de DSI era realizar I+D en tecnología magnética para unidades de disco duro (HDD). A lo largo de los años, DSI colaboró ​​con empresas como Seagate, Connor, DEC, Toshiba, Hewlett-Packard y Western Digital.

El 1 de junio de 2018, A*STAR anunció su decisión de redistribuir ^[1] las reconocidas capacidades de DSI en toda la organización en consonancia con las estrategias nacionales de investigación e innovación, y que DSI ya no funcionaría como una unidad de investigación independiente en A*STAR. La organización mencionó el impacto de las tendencias globales en la industria del almacenamiento de datos, lo que dio lugar a la consolidación y a que gran parte de la producción se realizara fuera de Singapur.

• Premio de investigación en ingeniería Harvey de la IET AF 2016 ( Arseniy Kuznetsov ) ^[2]
• Premio Mundial de Investigación en Física Científica 2016 y Medalla de Oro (Prof. Boris Lukiyanchuk) ^[2]
• Premio prestigioso IES 2015 al logro en ingeniería ("ABSolution: paquete de software avanzado para el diseño y simulación de interfaces de disco y cabeza con espacio nanométrico") ^[3]
• Premio al mejor artículo de la ISPS 2014 ("Respuesta operativa a impactos de unidades de disco duro ultradelgadas") ^[3]
• Premio Presidencial de Ciencias 2013 (Prof. Boris Luk'yanchuk) ^[3]
• Premio Plata a Jóvenes Inventores Tan Kah Kee 2011 ("Haciendo posible la memoria universal a través de la ingeniería de nanoestructuras") ^[4]
• Premio Plata a los Jóvenes Inventores Tan Kah Kee 2008 ("Rompiendo los límites de la memoria de acceso aleatorio por cambio de fase: la memoria no volátil del futuro") ^[3]
• Premio Nacional de Tecnología 2006 (“Tecnologías avanzadas de micromotores utilizadas en unidades de disco duro y sistemas mecatrónicos miniaturizados”) ^[5]
• Premio prestigioso IES al logro en ingeniería en 2006 ("Medición de espacio nanométrico entre el cabezal y el medio") ^[3]
• Premio al Logro Técnico INSIC 2005 ("Deslizador femto de vuelo ultrabajo para almacenamiento de datos magnéticos de densidad extremadamente alta") ^[3]
• Premio de reconocimiento a los jóvenes inventores Tan Kah Kee 2005 ("Tecnología de deposición de haces de nanoagrupamiento para la síntesis de materiales de nanoestructura") ^[3]
• Premio Nacional de Tecnología 2005 ("Tecnología de altura de vuelo ultrabaja a menos de 3 millas náuticas") ^[3]
• Premio Plata a Jóvenes Inventores del Asia Wall Street Journal 2004 ("Nanomodelado láser en el campo óptico cercano para almacenamiento de datos de alta densidad") ^[6]
• Premio Prestigioso al Logro en Ingeniería 2004 del IES ("Tecnología Avanzada de Microfabricación Láser y Nanoingeniería") ^[3]
• 2004 Technology Review (TR-100) Los 100 principales innovadores del mundo ("Memoria de acceso aleatorio magnético {MRAM}") ^[3]
• Premio Nacional de Tecnología 2004 ("Disco óptico de cambio de fase regrabable de tipo superlattice") ^[3]
• Premio a la Innovación de Singapur 2003 ("Control deslizante de altura de vuelo de 3,5 nm para almacenamiento de datos con capacidad de terabytes") ^[3]