antimoniuro de galio

El antimoniuro de galio ( GaSb ) es un compuesto semiconductor de galio y antimonio de la familia III-V. Tiene una constante de red a temperatura ambiente de aproximadamente 0,610 nm . ^{[ 1 ]} Tiene una banda prohibida directa a temperatura ambiente de aproximadamente 0,73 eV. ^{[ 1 ]}^{[ 2 ]}^{[ 3 ]}

Historia

El compuesto intermetálico GaSb fue preparado por primera vez en 1926 por Victor Goldschmidt , quien combinó directamente los elementos bajo una atmósfera de gas inerte e informó sobre la constante de red del GaSb, la cual ha sido revisada posteriormente. Goldschmidt también sintetizó fosfuro de galio y arseniuro de galio . ^{[ 4 ]} Los equilibrios de fase Ga-Sb fueron investigados en 1955 por Koster ^{[ 5 ]} y por Greenfield. ^{[ 6 ]}

Aplicaciones

El GaSb se puede utilizar para detectores de infrarrojos , LED y láseres infrarrojos , transistores y sistemas termofotovoltaicos .

Véase también

Referencias

1 2 Vurgaftman, I.; Meyer, JR; Ram-Mohan, LR (2001). "Parámetros de banda para semiconductores compuestos III–V y sus aleaciones". Journal of Applied Physics . 89 (11): 5815– 5875. Bibcode : 2001JAP....89.5815V . doi : 10.1063/1.1368156 .
↑ Dutta, PS; Bhat, HL; Kumar, V. (1997). "La física y la tecnología del antimoniuro de galio: un material optoelectrónico emergente". Journal of Applied Physics . 81 (9): 5821– 5870. Bibcode : 1997JAP....81.5821D . doi : 10.1063/1.365356 .
↑ Madelung, O.; Rössler, U.; Schulz, M., eds. (2002). "Antimoniuro de galio (GaSb), brecha de energía directa" . Elementos del Grupo IV, compuestos IV-IV y III-V. Parte b - Propiedades electrónicas, de transporte, ópticas y otras . Landolt-Börnstein - Materia condensada del Grupo III. Vol. b. Springer-Verlag. pp. 1–5 . doi : 10.1007/10832182_229 . ISBN 978-3-540-42876-3.
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↑ Köster, Werner; Thoma, Berthold (1 de abril de 1955). "Aufbau der Systeme Gallium-Antimon, Gallium-Arsen und Aluminium-Arsen". Revista internacional de investigación de materiales . 46 (4): 291– 293. Bibcode : 1955IJMR...46..291K . doi : 10.1515/ijmr-1955-460408 . ISSN 2195-8556 .
↑ Greenfield, IG; Smith, RL (1955). "Sistema de galio-antimonio". Transactions AIME . 7 (2): 351– 353. Bibcode : 1955JOM.....7..351G . doi : 10.1007/BF03377506 . ISSN 1047-4838 .

Enlaces externos

Propiedades listadas en NSM Archivadas el 24/09/2015 en Wayback Machine , Ioffe Institute.
Hoja de ruta nacional de semiconductores compuestos en la Oficina de Investigación Naval.

[Vurgaftman2001-1] 1 2 Vurgaftman, I.; Meyer, JR; Ram-Mohan, LR (2001). "Parámetros de banda para semiconductores compuestos III–V y sus aleaciones". Journal of Applied Physics . 89 (11): 5815– 5875. Bibcode : 2001JAP....89.5815V . doi : 10.1063/1.1368156 .

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[Madelung2002-3] Madelung, O.; Rössler, U.; Schulz, M., eds. (2002). "Antimoniuro de galio (GaSb), brecha de energía directa" . Elementos del Grupo IV, compuestos IV-IV y III-V. Parte b - Propiedades electrónicas, de transporte, ópticas y otras . Landolt-Börnstein - Materia condensada del Grupo III. Vol. b. Springer-Verlag. pp. 1–5 . doi : 10.1007/10832182_229 . ISBN 978-3-540-42876-3.

[4] Goldschmidt, Víctor Moritz (1926). "Geochemische Verteilungsgesetze der Elemente: 7. Die Gesetze der Krystallochemie" . Skrifter Norske Videnskaps-Akademi I Oslo (en alemán). I Kommission Hos Jacob Dybwad: 29.

[5] Köster, Werner; Thoma, Berthold (1 de abril de 1955). "Aufbau der Systeme Gallium-Antimon, Gallium-Arsen und Aluminium-Arsen". Revista internacional de investigación de materiales . 46 (4): 291– 293. Bibcode : 1955IJMR...46..291K . doi : 10.1515/ijmr-1955-460408 . ISSN 2195-8556 .

[6] Greenfield, IG; Smith, RL (1955). "Sistema de galio-antimonio". Transactions AIME . 7 (2): 351– 353. Bibcode : 1955JOM.....7..351G . doi : 10.1007/BF03377506 . ISSN 1047-4838 .

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