Hispanopedia WikiJulius Edgar Lilienfeld (18 de abril de 1882 – 28 de agosto de 1963) fue un físico e ingeniero eléctrico austrohúngaro-estadounidense, a quien se le atribuye la primera patente del transistor de efecto de campo (FET) (1925). Nunca pudo construir un dispositivo semiconductor funcional y práctico basado en este concepto. Además, debido a que no publicó artículos en revistas científicas y a que no disponía de materiales semiconductores de alta pureza, su patente del FET nunca alcanzó la fama, lo que provocó confusión para los inventores posteriores. [1]
Primeros años de vida
Lilienfeld nació en el seno de una familia judía en Lemberg (actual Lviv ), en la parte austríaca del Imperio austrohúngaro . El padre de Lilienfeld era el abogado Sigmund Lilienfeld y su madre Sarah Jampoler Lilienfeld. [2]
Educación
Después de graduarse de la escuela secundaria en 1899, [3] entre 1900 y 1904, Lilienfeld estudió en la Friedrich-Wilhelms-Universität (rebautizada como Universidad Humboldt en 1949), en Berlín , donde recibió su doctorado el 18 de febrero de 1905. En 1905, comenzó a trabajar en el instituto de física de la Universidad de Leipzig como profesor no titular.
Carrera
En los primeros años de su carrera, Lilienfeld trabajó en la Universidad de Leipzig, donde realizó importantes trabajos sobre descargas eléctricas en el « vacío », entre electrodos metálicos, desde aproximadamente 1910 en adelante. [4] Su pasión inicial fue esclarecer cómo cambiaba este fenómeno a medida que mejoraban las técnicas de preparación al vacío. Más que ningún otro científico, fue responsable de la identificación de la emisión de electrones de campo como un efecto físico independiente. (Lo llamó «emisión autoelectrónica» y estaba interesado en ella como una posible fuente de electrones para tubos de rayos X miniaturizados , en aplicaciones médicas). Lilienfeld fue responsable del primer relato fiable en inglés de la fenomenología experimental de la emisión de electrones de campo, en 1922. El efecto fue explicado por Fowler y Nordheim en 1928.
Lilienfeld se mudó a los Estados Unidos en 1921 para perseguir sus reclamos de patentes, renunciando a su cátedra en Leipzig para quedarse permanentemente en 1926. En 1928, comenzó a trabajar en Amrad en Malden, Massachusetts , más tarde llamado Ergon Research Laboratories, propiedad de Magnavox, que cerró en 1935. [1]
En Estados Unidos, Lilienfeld realizó investigaciones sobre películas de óxido de aluminio anódico y patentó el condensador electrolítico en 1931, método que se siguió utilizando durante todo el siglo. También inventó un transistor " similar a un FET ", y presentó varias patentes que describen la construcción y el funcionamiento de los transistores, así como muchas características de los transistores modernos. (La patente estadounidense n.° 1 745 175 [5] para un transistor similar a un FET se concedió el 28 de enero de 1930). [6] Cuando Brattain , Bardeen y su colega químico Robert Gibney intentaron obtener patentes para sus primeros dispositivos, la mayoría de sus reclamaciones fueron rechazadas debido a las patentes de Lilienfeld. [7]
La radiación óptica emitida cuando los electrones chocan contra una superficie metálica se denomina « radiación de Lilienfeld », en honor a su descubrimiento cerca de los ánodos de los tubos de rayos X. Su origen se atribuye a la excitación de plasmones en la superficie del metal. [8] [9] [10]
La Sociedad Americana de Física ha bautizado uno de sus premios más importantes con el nombre de Lilienfeld. [11]
Vida personal
Lilienfeld era un judío asquenazí de habla alemana que era ciudadano de Austria-Hungría [12] y más tarde tuvo doble ciudadanía en los Estados Unidos y en Polonia. [13] Se casó con una estadounidense, Beatrice Ginsburg, en la ciudad de Nueva York el 2 de mayo de 1926. Vivieron en Winchester, Massachusetts , donde Lilienfeld fue director de los Laboratorios de Investigación Ergon en Malden, convirtiéndose en ciudadano de los Estados Unidos en 1934. Después de que cerrara en 1935, él y su esposa construyeron una casa en St. Thomas en las Islas Vírgenes de los Estados Unidos con la esperanza de escapar de una alergia asociada con los campos de trigo, de la que Lilienfeld había sufrido durante la mayor parte de su vida. Lilienfeld viajaba con frecuencia entre St. Thomas y varios lugares del continente y continuó probando nuevas ideas y patentando los productos resultantes.
Patentes
- US 1122011 "Proceso y aparato para producir rayos Roentgen" presentado el 1912-10-02, que describe un tubo de rayos X que produce rayos X a partir de electrones emitidos desde un filamento caliente.
- US 1218423 "Tubo de rayos Roentgen" presentado el 17 de abril de 1914, que describe un refinamiento de su tubo de rayos X anterior que producía rayos X a partir de electrones emitidos desde un filamento caliente.
- US 1745175 "Método y aparato para controlar la corriente eléctrica", presentada por primera vez en Canadá el 22 de octubre de 1925, que describe un transistor de efecto de campo.
- US 1900018 "Dispositivo para controlar la corriente eléctrica" presentada el 28 de marzo de 1928, un transistor de efecto de campo de película delgada
- US 1877140 "Amplificador para corrientes eléctricas" presentado el 1928-12-08, dispositivo de estado sólido donde el flujo de corriente está controlado por una capa de metal poroso, una versión de estado sólido del tubo de vacío
- US 2013564 "Condensador electrolítico" presentado el 29 de agosto de 1931, que describe un condensador electrolítico
Véase también
Referencias
- ^ ab Diccionario estadounidense de biografías nacionales: suplemento 2 de Mark C. Carnes, 2005
- ^ Kleint, Christian (1 de abril de 1998). "Julius Edgar Lilienfeld: vida y profesión". Progreso en la ciencia de superficies . 57 (4): 253–327. Bibcode :1998PrSS...57..253K. doi :10.1016/S0079-6816(98)80026-9. ISSN 0079-6816.
- ^ Kleint, Christian (1 de abril de 1998). "Julius Edgar Lilienfeld: vida y profesión". Progreso en la ciencia de superficies . 57 (4): 253–327. Bibcode :1998PrSS...57..253K. doi :10.1016/S0079-6816(98)80026-9. ISSN 0079-6816.
- ^ "Una concepción muy temprana de un dispositivo de estado sólido". IEEE Global History Network . IEEE . Consultado el 21 de julio de 2011 .
- ^ Patente de EE. UU. 1.745.175 Método y aparato para controlar corrientes eléctricas
- ^ Thomas H. Lee, El diseño de circuitos integrados de radiofrecuencia CMOS . Cambridge University Press, 2004, pág. 167 y siguientes.
- ^ Joel N. Shurkin (8 de enero de 2008). Broken genius: the rise and fall of William Shockley, creator of the electronic age [Genio roto: el ascenso y la caída de William Shockley, creador de la era electrónica]. Palgrave Macmillan. pp. 116–. ISBN 978-0-230-55192-3. Recuperado el 10 de septiembre de 2011 .
- ^ JE Lilienfeld (1919). "Die sichtbare Strahlung des Brennflecks von Röntgenröhren" [La radiación visible de los puntos luminosos de los tubos de rayos X]. Physikalische Zeitschrift (en alemán). 20 (12): 280–282.
- ^ Boersch, Hans; Radeloff, C.; Sauerbrey, G. (1961). "Über die an Metallen durch Elektronen ausgelöste sichtbare und ultraviolette Strahlung" [Sobre la radiación visible y ultravioleta causada por los electrones [que inciden] sobre los metales]. Zeitschrift für Physik A (en alemán). 165 (4): 464–484. Código bibliográfico : 1961ZPhy..165..464B. doi :10.1007/BF01381902. S2CID 120824347.
- ^ Boersch, Hans; Radeloff, C.; Sauerbrey, G. (1961). "Detección experimental de radiación de transición". Física. Rev. Lett . 7 (2): 52–54. Código bibliográfico : 1961PhRvL...7...52B. doi :10.1103/PhysRevLett.7.52.
- ^ "Premio Julius Edgar Lilienfeld". Sociedad Estadounidense de Física . Consultado el 27 de junio de 2022.
El premio se estableció en 1988 en virtud de un legado de Beatrice Lilienfeld en memoria de su esposo, Julius Edgar Lilienfeld.
- ^ "Espacenet - Documento original".
- ^ "Espacenet - Documento original".
- Christian Kleint, Julius Edgar Lilienfeld: Vida y profesión . En: Progress in Surface Science, volumen 57, número 4, abril de 1998, páginas 253–327.
- Chih-Tang Sag, Evolución del transistor MOS: desde su concepción hasta su uso en circuitos de tamaño pequeño (VLSI) . En: Proceedings of the IEEE, vol. 76, n.º 10, octubre de 1988, páginas 1280-1326.
Enlaces externos
- About.com, breve texto sobre Lilienfeld Archivado el 20 de junio de 2020 en Wayback Machine.
- Biografía de JE Lilienfeld
- Biografía de Lilienfeld