Articulo de referencia

LDMOS

LDMOS ( semiconductor de óxido metálico de difusión lateral ) [ 1 ] es un MOSFET (transistor de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor) planar de doble difusión utiliza...

LDMOS ( semiconductor de óxido metálico de difusión lateral ) [ 1 ] es un MOSFET (transistor de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor) planar de doble difusión utilizado en amplificadores , incluidos amplificadores de potencia de microondas , amplificadores de potencia de RF y amplificadores de potencia de audio . Estos transistores se fabrican a menudo sobre capas epitaxiales de silicio p/p + . La fabricación de dispositivos LDMOS implica principalmente varios ciclos de implantación iónica y recocido posterior. [ 1 ] Como ejemplo, la región de deriva de este MOSFET de potencia se fabrica utilizando hasta tres secuencias de implantación iónica para lograr el perfil de dopaje adecuado necesario para soportar altos campos eléctricos.

El RF LDMOS ( LDMOS de radiofrecuencia ) basado en silicio es el amplificador de potencia de RF más utilizado en redes móviles , [ 2 ] [ 3 ] [ 4 ] permitiendo la mayor parte del tráfico de voz y datos celulares del mundo . [ 5 ] Los dispositivos LDMOS se utilizan ampliamente en amplificadores de potencia de RF para estaciones base ya que se requiere una alta potencia de salida con un voltaje de ruptura drenador-fuente correspondiente generalmente superior a 60 voltios . [ 6 ] En comparación con otros dispositivos como los FET de GaAs , muestran una frecuencia de ganancia de potencia máxima más baja.

Entre los fabricantes de dispositivos LDMOS y las fundiciones que ofrecen tecnologías LDMOS se incluyen Tower Semiconductor , TSMC , LFoundry , SAMSUNG , GLOBALFOUNDRIES , Vanguard International Semiconductor Corporation , STMicroelectronics , Infineon Technologies , RFMD , NXP Semiconductors (incluida la antigua Freescale Semiconductor ), SMIC , MK Semiconductors, Polyfet y Ampleon .

Aplicaciones

Las aplicaciones comunes de la tecnología LDMOS incluyen las siguientes.

RF LDMOS

Las aplicaciones comunes de la tecnología RF LDMOS incluyen las siguientes.

Véase también

Referencias

  1. ^ A. Elhami Khorasani, desarrollador de electrones IEEE. Lett., vol. 35, págs. 1079-1081, 2014
  2. 1 2 3 4 5 Baliga, Bantval Jayant (2005). MOSFETs de potencia de RF de silicio . World Scientific . págs. 1–2 . ISBN  9789812561213.
  3. 12345678Asif, Saad (2018). 5G Mobile Communications: Concepts and Technologies. CRC Press. p. 134. ISBN 9780429881343.
  4. 123456789101112Theeuwen, S. J. C. H.; Qureshi, J. H. (June 2012). "LDMOS Technology for RF Power Amplifiers"(PDF). IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 60 (6): 1755–1763. Bibcode:2012ITMTT..60.1755T. doi:10.1109/TMTT.2012.2193141. ISSN 1557-9670. S2CID 7695809.
  5. 1234567891011"LDMOS Products and Solutions". NXP Semiconductors. Retrieved 4 December 2019.
  6. van Rijs, F. (2008). "Status and trends of silicon LDMOS base station PA technologies to go beyond 2.5 GHz applications". Radio and Wireless Symposium, 2008 IEEE. Orlando, FL. pp. 69–72. doi:10.1109/RWS.2008.4463430.
  7. 12Duncan, Ben (1996). High Performance Audio Power Amplifiers. Elsevier. pp. 177-8, 406. ISBN 9780080508047.
  8. "A 600W broadband HF amplifier using affordable LDMOS devices". QRPblog. 2019-10-27. Retrieved 2022-09-28.
  9. 123"L-Band Radar". NXP Semiconductors. Retrieved 9 December 2019.
  10. 1234"Avionics". NXP Semiconductors. Retrieved 9 December 2019.
  11. 123"RF Aerospace and Defense". NXP Semiconductors. Retrieved 7 December 2019.
  12. 12"Communications and Electronic Warfare". NXP Semiconductors. Retrieved 9 December 2019.
  13. 1 2 3 4 5 6 7 8 "Comunicaciones móviles y de banda ancha" . ST Microelectronics . Consultado el 4 de diciembre de 2019 .
  14. 1 2 3 4 5 6 "470–860 MHz – Radiodifusión UHF" . NXP Semiconductors . Consultado el 12 de diciembre de 2019 .
  15. 1 2 3 4 5 6 "Transistores RF LDMOS" . ST Microelectronics . Consultado el 2 de diciembre de 2019 .
  16. 1 2 "LDMOS de 28/32 V: la tecnología IDDE aumenta la eficiencia y la robustez" (PDF) . ST Microelectronics . Consultado el 23 de diciembre de 2019 .
  17. 1 2 3 4 5 6 "AN2048: Nota de aplicación – PD54008L-E: LDMOS de 8 W – 7 V en encapsulados PowerFLAT para aplicaciones de lectura inalámbrica de contadores" (PDF) . ST Microelectronics . Consultado el 23 de diciembre de 2019 .
  18. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 "ISM y radiodifusión" . ST Microelectronics . Consultado el 3 de diciembre de 2019 .
  19. 1 2 3 4 "700–1300 MHz – ISM" . NXP Semiconductors . Consultado el 12 de diciembre de 2019 .
  20. 1 2 "2450 MHz – ISM" . NXP Semiconductors . Consultado el 12 de diciembre de 2019 .
  21. 1 2 3 4 5 6 7 8 "1–600 MHz – Radiodifusión e ISM" . NXP Semiconductors . Consultado el 12 de diciembre de 2019 .
  22. 1 2 "LDMOS de 28/32 V: la nueva tecnología IDCH aumenta el rendimiento de potencia de RF hasta 4 GHz" (PDF) . ST Microelectronics . Consultado el 23 de diciembre de 2019 .
  23. 1 2 "Radar de banda S" . NXP Semiconductors . Consultado el 9 de diciembre de 2019 .
  24. "Infraestructura celular de RF" . NXP Semiconductors . Consultado el 7 de diciembre de 2019 .
  25. 1234"RF Mobile Radio". NXP Semiconductors. Retrieved 9 December 2019.
  26. "UM0890: User manual – 2-stage RF power amplifier with LPF based on the PD85006L-E and STAP85050 RF power transistors"(PDF). ST Microelectronics. Retrieved 23 December 2019.
  27. 12"915 MHz RF Cooking". NXP Semiconductors. Retrieved 7 December 2019.
  28. 123Torres, Victor (21 June 2018). "Why LDMOS is the best technology for RF energy". Microwave Engineering Europe. Ampleon. Archived from the original on 10 December 2019. Retrieved 10 December 2019.
  29. 123"RF Defrosting". NXP Semiconductors. Retrieved 12 December 2019.
  30. "White Paper – 50V RF LDMOS: An ideal RF power technology for ISM, broadcast and commercial aerospace applications"(PDF). NXP Semiconductors. Freescale Semiconductor. September 2011. Retrieved 4 December 2019.
  31. 12"RF Cellular Infrastructure". NXP Semiconductors. Retrieved 12 December 2019.
  32. "450–1000 MHz". NXP Semiconductors. Retrieved 12 December 2019.
  33. "3400–4100 MHz". NXP Semiconductors. Retrieved 12 December 2019.
  34. "HF, VHF and UHF Radar". NXP Semiconductors. Retrieved 7 December 2019.
  • Microwave Encyclopedia on LDMOS
  • BCD process including customizable LDMOS
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