Memoria de lectura y escritura

La memoria de lectura y escritura , o RWM, es un tipo de memoria de computadora que se puede escribir y leer fácilmente mediante señales eléctricas normalmente asociadas con la ejecución de un software, y sin ningún otro proceso físico. ^{[ a ] ​​[ 1 ]} El tipo de almacenamiento relacionado, RAM, significa algo diferente; se refiere a la memoria que puede acceder a cualquier ubicación de memoria en un tiempo constante. ^{[ 2 ]}

El término también podría referirse a ubicaciones de memoria que tienen permisos de lectura y escritura. En los sistemas informáticos modernos que utilizan segmentación de memoria , cada segmento tiene una longitud y un conjunto de permisos ^{[ b ]} asociados. ^{[ 3 ]}

La memoria de lectura/escritura se compone de tipos de almacenamiento volátil o no volátil . La memoria volátil suele estar en forma de un microchip u otro hardware que requiere una fuente de alimentación externa para que los datos persistan. ^{[ 4 ]} La memoria no volátil se considera memoria estática o de tipo almacenamiento. Esto significa que se pueden escribir datos en ella y que la información persistirá incluso en ausencia de una fuente de alimentación. Normalmente, las velocidades de lectura/escritura están limitadas por su ancho de banda o tienen limitaciones mecánicas de velocidad de rotación y retrasos en el movimiento del brazo para tipos de almacenamiento como almacenamiento en la nube , disco duro o CD-RW , DVD-RW , tarjetas SD , unidad de estado sólido , SRAM y DRAM , u otros circuitos integrados .

En San Francisco, en 1956, IBM fue la primera empresa en desarrollar y vender el primer disco duro comercial (HDD) . La unidad era el modelo 350, que tenía una capacidad de almacenamiento de datos de 3,75 megabytes y cincuenta discos de 24 pulgadas de diámetro apilados en un eje, y se vendió a la empresa de papel Zellerbach . ^{[ 5 ]}

• Memoria de lectura predominante (RMM)
• Memoria de acceso aleatorio (RAM)