Lectura (computadora)

El semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) es un medio no volátil . ^{[ 1 ]} Se utiliza en microprocesadores , microcontroladores , RAM estática y otros circuitos lógicos digitales . La memoria se lee mediante una combinación de transistores de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor (MOSFET) de tipo p y tipo n. En la lógica CMOS, un conjunto de MOSFET de tipo n se organiza en una red de polarización descendente entre el nodo de salida y el riel de alimentación de menor voltaje , denominado V _ss , que a menudo tiene potencial de tierra . Al activar o desactivar las entradas del circuito CMOS, los transistores individuales a lo largo de las redes de polarización ascendente y descendente se vuelven conductores y resistivos a la corriente eléctrica, lo que da como resultado la ruta deseada que conecta el nodo de salida con uno de los rieles de voltaje.

La memoria flash almacena información en una matriz de celdas de memoria compuestas por transistores de puerta flotante . La memoria flash utiliza lógica NOR o lógica NAND.

En la memoria flash de puerta NOR , cada celda se asemeja a un MOSFET estándar , excepto que el transistor tiene dos puertas en lugar de una. En la parte superior está la puerta de control (CG), como en otros transistores MOS, pero debajo de esta, hay una puerta flotante (FG) aislada por completo por una capa de óxido . La FG está interpuesta entre la CG y el canal del MOSFET, y debido a que la FG está aislada eléctricamente por su capa aislante, cualquier electrón colocado en ella queda atrapado allí y, en condiciones normales, no se descargará durante muchos años. Cuando la corriente fluye a través del canal del MOSFET se genera un código binario que reproduce los datos almacenados .

La memoria flash NAND utiliza inyección de túnel para la escritura y liberación de túnel para el borrado. La memoria flash NAND constituye el núcleo de los dispositivos de almacenamiento USB extraíbles , conocidos como unidades flash USB , así como de la mayoría de los formatos de tarjetas de memoria disponibles en la actualidad.

El medio magnético se encuentra en cintas magnéticas, discos duros, disquetes, etc. Este medio utiliza diferentes patrones de magnetización en un material magnetizable para almacenar datos y es una forma de memoria no volátil . Los medios de almacenamiento magnético se pueden clasificar como memoria de acceso secuencial o memoria de acceso aleatorio .

La memoria de núcleo magnético utiliza toroides (anillos) de un material magnético duro (generalmente ferrita semidura) como núcleos de transformador, donde cada hilo conductor que atraviesa el núcleo actúa como un devanado del transformador. Dos o más hilos conductores pasan por cada núcleo. La histéresis magnética permite que cada núcleo almacene un estado.

El medio mecánico utiliza uno de los métodos de computación más antiguos y se ha vuelto prácticamente obsoleto. El método más antiguo conocido de almacenamiento de memoria y posterior lectura computarizada es el mecanismo de Anticitera (c. 100-150 a. C. ), que utiliza más de treinta engranajes que hacen girar un indicador de esfera. Siguiendo el mecanismo de Anticitera, Herón de Alejandría (c. 10-70 d. C. ) diseñó una obra de teatro completamente mecánica de casi diez minutos de duración, impulsada por un sistema binario de cuerdas, nudos y máquinas simples operadas por una rueda dentada cilíndrica giratoria.

Las tarjetas perforadas fueron un medio de almacenamiento común para las computadoras desde 1900 hasta 1950. La información se leía mediante un método que consistía en identificar los agujeros de la tarjeta.

Los discos ópticos son discos planos, circulares y no volátiles , generalmente de policarbonato. Los datos se almacenan en hendiduras o protuberancias dispuestas secuencialmente en una pista espiral continua que se extiende desde la pista más interna hasta la más externa, cubriendo toda la superficie del disco. Los datos se leen mediante un láser; cuando el láser incide en una hendidura, su enfoque cambia y el software del lector lo procesa.

La memoria de acceso aleatorio (RAM) es un tipo de almacenamiento de datos informáticos. Un dispositivo de acceso aleatorio permite acceder a los datos almacenados directamente y en cualquier orden aleatorio. En cambio, otros medios de almacenamiento de datos, como discos duros, CD, DVD y cintas magnéticas, así como los primeros tipos de memoria primaria, como la memoria de tambor, leen y escriben datos solo en un orden predeterminado y consecutivo, debido a limitaciones de diseño mecánico. Por lo tanto, el tiempo de acceso a una ubicación de datos determinada varía significativamente según su ubicación física. Hoy en día, la memoria de acceso aleatorio se presenta en forma de circuitos integrados. Estrictamente hablando, los tipos modernos de DRAM no son de acceso aleatorio, ya que los datos se leen en ráfagas, aunque el nombre DRAM/RAM se ha mantenido. Sin embargo, muchos tipos de SRAM, ROM, OTP y memoria flash NOR siguen siendo de acceso aleatorio incluso en sentido estricto. La RAM se asocia normalmente con tipos de memoria volátil (como los módulos de memoria DRAM), donde la información almacenada se pierde si se interrumpe la alimentación. Muchos otros tipos de memoria no volátil también son RAM, incluyendo la mayoría de los tipos de ROM y un tipo de memoria flash llamada NOR-Flash. Los primeros módulos de RAM que salieron al mercado se crearon en 1951 y se vendieron hasta finales de la década de 1960 y principios de la de 1970.