Udo W. Pohl

Udo W. Pohl es un físico alemán que fue profesor en la Universidad Técnica de Berlín . Su trabajo en física de semiconductores se centra en los puntos cuánticos .

Pohl estudió física en la Universidad RWTH Aachen , la Universidad Libre de Berlín y la Universidad Técnica de Berlín, donde obtuvo su doctorado en 1988. Su investigación doctoral se centró en la espectroscopia óptica de impurezas de metales de transición en semiconductores II-VI . ^{[ 1 ]}

En 1989, se convirtió en el líder del grupo del "Laboratorio de Materiales" en el Instituto de Física del Estado Sólido de la Universidad Técnica de Berlín, que posteriormente se reorganizó como el Centro de Nanofotónica en 2004. ^{[ 2 ]} Su trabajo científico se centra particularmente en las propiedades estructurales y ópticas de los puntos cuánticos basados ​​en semiconductores compuestos II-VI ^{[ 3 ]} y III-V ^{[ 4 ] [ 5 ]} y su epitaxia . ^{[ 6 ]} Utilizando puntos cuánticos III-V activos basados ​​en GaAs, se pudieron realizar nuevos dispositivos como láseres y emisores de fotones individuales en el Instituto de Física del Estado Sólido con su participación. ^{[ 7 ]}

Pohl obtuvo la habilitación como profesor asistente en 1999 con un trabajo sobre la epitaxia de semiconductores. En 2009, fue nombrado profesor adjunto de física experimental en la Universidad Técnica de Berlín. ^{[ 8 ]} Pohl es miembro de la Sociedad Alemana de Física y desde 2017 es coeditor de la serie Springer en Ciencia de los Materiales. ^{[ 9 ]}

En 2013, Pohl publicó el libro de texto Epitaxy of Semiconductors . ^{[ 10 ]} Fue coautor del Handbook Semiconductor Physics con Karl Wolfgang Böer , que se publicó por primera vez en 2018. ^{[ 11 ]}

• Udo W. Pohl, Epitaxia de semiconductores . 1.ª edición: Introducción a los principios físicos, Springer Heidelberg Nueva York Dordrecht Londres, 2013. ISBN 978-3-642-32969-2. 2.ª edición: Física y fabricación de heteroestructuras, Springer Nature Switzerland AG, Cham, Suiza, 2020. ISBN 978-3-030-43868-5.
• Karl W. Böer, Udo W. Pohl, Física de semiconductores . 1.ª edición: Springer International Publishing AG, Cham, Suiza, 2018. ISBN 978-3-319-69148-0. 2.ª edición: Springer Nature Switzerland AG, Cham, Suiza, 2023. ISBN 978-3-031-18285-3.

• UW Pohl, A. Strittmatter, A. Schliwa, M. Lehmann, T. Niermann, T. Heindel, S. Reitzenstein, M. Kantner, U. Bandelow, T. Koprucki, H.-J. Wünsche, Control del sitio inducido por factores estresantes de puntos cuánticos para fuentes de fotón único . En: M. Kneissl, A. Knorr, S. Reitzenstein, A. Hoffmann (Eds.), Semiconductor Nanophotonics , págs.  52 – 90, Springer Nature, Cham Suiza 2020.
• UW Pohl, Semiconductores de baja dimensión . En: H. Warlimont, W. Martienssen (Eds.), Manual de datos de materiales , 2.ª ed., págs.  1077-1100, Springer Nature, Cham, Suiza, 2018.
• UW Pohl, Epitaxia en fase vapor metalorgánica de puntos cuánticos de nitruros y arseniuros diluidos . En: G. Dhanaraj, K. Byrappa, V. Prasad, M. Dudley (Eds.), Manual de crecimiento de cristales , págs.  1133-1152, Springer, Berlín, Alemania, 2010.
• UW Pohl, D. Bimberg, Láseres de disco semiconductores basados ​​en puntos cuánticos . En: OG Okhotnikov (Ed.), Láseres de disco semiconductores , págs.  187-212, Wiley, Weinheim 2010.
• UW Pohl, Puntos cuánticos de InAs/GaAs con distribución de tamaño multimodal . En: ZM Wang (Ed.), Puntos cuánticos autoensamblados , págs.  43-66, Springer, Nueva York, 2008.
• UW Pohl, S. Rodt, A. Hoffmann, Propiedades ópticas de puntos cuánticos III-V . En: D. Bimberg (Ed.), Nanoestructuras semiconductoras , págs.  269-299, Springer, Berlín, 2008.
• UW Pohl, A. Strittmatter, Control del crecimiento autoorganizado de puntos cuánticos de In(Ga)As/GaAs . En: D. Bimberg (Ed.), Nanoestructuras semiconductoras , págs.  41-65, Springer, Berlín 2008.