Hispanopedia WikiZ-RAM es el nombre comercial de una tecnología de memoria de acceso aleatorio dinámica, ahora obsoleta, que no requería un capacitor para mantener su estado. Z-RAM fue desarrollada entre 2002 y 2010 por una empresa ahora desaparecida llamada Innovative Silicon.
La memoria Z-RAM se basa en el efecto de cuerpo flotante, un artefacto del proceso de silicio sobre aislante (SOI) que coloca los transistores en tubos aislados (los voltajes del cuerpo del transistor "flotan" con respecto al sustrato de la oblea debajo de los tubos). El efecto de cuerpo flotante hace que aparezca una capacitancia variable entre el fondo del tubo y el sustrato subyacente. El efecto de cuerpo flotante suele ser un efecto parásito que dificulta los diseños de circuitos, pero también permite construir una celda similar a una DRAM sin agregar un capacitor separado, con lo que el efecto de cuerpo flotante reemplaza al capacitor convencional. Debido a que el capacitor está ubicado debajo del transistor (en lugar de adyacente o sobre el transistor como en las DRAM convencionales), otra connotación del nombre "Z-RAM" es que se extiende en la dirección z negativa.
En teoría, un tamaño de celda reducido habría permitido un almacenamiento más denso, lo que a su vez podría (cuando se utiliza con bloques grandes) haber mejorado los tiempos de acceso al reducir la distancia física que los datos tendrían que recorrer para salir de un bloque. Para una memoria caché grande (como la que se encuentra típicamente en un microprocesador de alto rendimiento), la Z-RAM habría sido potencialmente tan rápida como la SRAM utilizada para las cachés convencionales en el procesador (L1/L2), pero con una superficie menor (y, por lo tanto, un costo menor). Sin embargo, con los avances en las técnicas de fabricación de la SRAM convencional (lo más importante, la transición al nodo de fabricación de 32 nm), la Z-RAM perdió su ventaja de tamaño.
Aunque AMD licenció la segunda generación de Z-RAM en 2006, el fabricante de procesadores abandonó sus planes de Z-RAM en enero de 2010. De manera similar, el productor de DRAM Hynix también había licenciado Z-RAM para su uso en chips DRAM en 2007, e Innovative Silicon anunció que estaba desarrollando conjuntamente una versión no SOI de Z-RAM que podría fabricarse en tecnología CMOS a granel de menor costo en marzo de 2010, pero Innovative Silicon cerró el 29 de junio de 2010. Su cartera de patentes fue adquirida por Micron Technology en diciembre de 2010.