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Hongxing Jiang

Hongxing Jiang Hongxing Jiang ( chino : 江红星) es un físico e ingeniero chino-estadounidense que trabaja en el campo de los semiconductores de banda prohibida ancha y los disposit...

Hongxing Jiang

Hongxing Jiang ( chino : 江红星) es un físico e ingeniero chino-estadounidense que trabaja en el campo de los semiconductores de banda prohibida ancha y los dispositivos fotónicos. Es el inventor original del MicroLED . En 2000, el equipo de investigación liderado por Hongxing Jiang y Jingyu Lin ( chino : 林景瑜) en la Universidad Estatal de Kansas (KSU) logró el funcionamiento del primer MicroLED y la primera micropantalla MicroLED de control pasivo. [ 1 ] [ 2 ] [ 3 ] [ 4 ] [ 5 ] [ 6 ] En 2009, él y sus colegas en III-N Technology, Inc. (3N) y la Universidad Tecnológica de Texas (TTU) patentaron y lograron la primera micropantalla microLED de control activo de alta resolución y con capacidad de video en formato VGA (640 x 480 píxeles) a través de la integración heterogénea de una matriz MicroLED con un controlador de matriz activa CMOS [ 7 ] y el trabajo fue publicado en los años siguientes. [ 8 ] [ 9 ] [ 10 ] [ 11 ] [ 12 ]

Los LED de CC/CA de alto voltaje de un solo chip, mediante la integración en chip de matrices de mini- y MicroLED desarrolladas por su equipo en 2002, se han comercializado ampliamente para iluminación general de estado sólido y faros de automóviles. [ 13 ] [ 14 ] [ 15 ] [ 16 ] [ 17 ]

Con el apoyo de los programas SUVOS, [ 18 ] CMUVT, [ 19 ] DUVAP, [ 20 ] y VIGIL [ 21 ] de DARPA-MTO , su equipo de investigación ha contribuido a los primeros desarrollos de emisores y detectores de UV profundo de nitruro de III y dispositivos de energía de InGaN [ 22 ] [ 23 ] [ 24 ] en los Estados Unidos. Estos incluyen el desarrollo del primer sistema de espectroscopia óptica resuelta en el tiempo de picosegundos en el UV profundo (hasta 195 nm) para caracterizar materiales semiconductores de banda prohibida ultraancha (UWBG), [ 25 ] la primera predicción y confirmación de que los emisores de UV profundo de AlGaN ricos en Al emiten luz en el modo transversal magnético (TM), [ 26 ] [ 27 ] la demostración del primer LED de cristal fotónico UV/azul (PC-LED), [ 28 ] [ 29 ] y detectores de avalancha de UV profundo de AlN con una detectividad específica ultraalta . [ 30 ] Su equipo también fue uno de los primeros en determinar el nivel de energía del aceptor de Mg en AlN ópticamente [ 31 ] y eléctricamente [ 32 ] y en demostrar el control de la conductividad en AlGaN rico en Al. [ 33 ] [ 34 ] [ 35 ] [ 36 ] Con el apoyo de ARPA-E , su equipo de investigación ha desarrollado tecnologías de crecimiento de cristales para producir películas epitaxiales gruesas (o cristales cuasi-masivos) de semiconductor UWBG de nitruro de boro hexagonal (h-BN) en obleas de gran tamaño y ha logrado detectores de neutrones térmicos de h-BN con una eficiencia de detección récord. [ 37 ] [ 38 ] [ 39 ] [ 40 ] 

Durante sus estudios de posgrado en la Universidad de Syracuse (SU), Hongxing Jiang y Jingyu Lin desarrollaron el primer formalismo analítico basado en la fuerza gravitacional newtoniana para describir la órbita de una estrella que entra y sale de una galaxia, y predijeron el fenómeno de la precesión de masa. [ 41 ] Este efecto ha sido utilizado por los astrofísicos para limitar la abundancia de materia oscura en el Sistema Solar y el Centro Galáctico . [ 42 ] [ 43 ]

Educación

Obtuvo su doctorado en física en 1986 en la Universidad de Syracuse bajo la dirección de Arnold Honig. Se licenció en física en 1981 en la Universidad de Fudan , China. Llegó a Estados Unidos para realizar estudios de posgrado a través del programa CUSPEA .

Carrera

Ha estado trabajando en semiconductores de banda prohibida ancha de nitruro de galio desde 1995. Actualmente, es codirector del Centro de Nanofotónica y el primer titular de la cátedra Edward E. Whitacre Jr. y Profesor Distinguido Horn de Ingeniería Eléctrica e Informática en la Facultad de Ingeniería Edward E. Whitacre Jr. de la Universidad Tecnológica de Texas (TTU). Ser designado Profesor Horn es el máximo honor que recibe un miembro del profesorado de Texas Tech. [ 44 ] En 2008, trasladó su grupo de investigación a la TTU desde la Universidad Estatal de Kansas, donde era Profesor Distinguido de Física. [ 45 ]

Premios

Referencias

  1. Jiang, Hongxing; Lin, Jingyu (marzo de 2023). "Cómo fabricamos el microLED" . Nature Electronics . 6 (3): 257. doi : 10.1038/s41928-023-00940-0 . ISSN 2520-1131 . 
  2. Hongxing Jiang; Jingyu Lin, Sixuan Jin y Jing Li. "Patente estadounidense 6410940, Matrices de LED y detectores de tamaño micro para minipantallas, diodos emisores de luz hiperbrillantes, iluminación y aplicaciones de detectores UV y sensores de imagen" . worldwide.espacenet.com . Consultado el 5 de enero de 2022 .{{cite web}}: CS1 maint: varios nombres: lista de autores ( enlace )
  3. Jin, SX; Li, J.; Lin, JY; Jiang, HX (2000-11-13). "Diodos emisores de luz de microdisco de GaN" . Applied Physics Letters . 76 (5): 631– 633. Bibcode : 2000ApPhL..76..631J . doi : 10.1063/1.125841 . ISSN 0003-6951 . 
  4. ^ Jiang, HX; Jin, SX; Li, J.; Shakya, J.; Lin, JY (26 de febrero de 2001). "Micropantallas de azul de nitruro III" . Letras de Física Aplicada . 78 (9): 1303– 1305. Bibcode : 2001ApPhL..78.1303J . doi : 10.1063/1.1351521 . ISSN 0003-6951 . 
  5. Jiang, Hongxing; Lin, Jingyu (junio de 2001). "Avances en emisores de luz de tamaño micrométrico de nitruro de III". III-Vs Review . 14 (5): 32– 37. doi : 10.1016/S0961-1290(01)80261-1 .
  6. Jin, SX; Shakya, J.; Lin, JY; Jiang, HX (2001-05-28). "Dependencia del tamaño de las características de los diodos emisores de luz de microdisco de nitruro de III" . Applied Physics Letters . 78 (22): 3532– 3534. Bibcode : 2001ApPhL..78.3532J . doi : 10.1063/1.1376152 . ISSN 0003-6951 . 
  7. Jacob Day, Jing Li, Donald Lie, Zhaoyang Fan, Jingyu Lin y Hongxing Jiang. "US 9047818 CMOS IC para microdisplay basado en microemisores" . worldwide.espacenet.com . Consultado el 5 de enero de 2022 .{{cite web}}: CS1 maint: varios nombres: lista de autores ( enlace )
  8. Day, Jacob; Li, J.; Lie, DYC; Bradford, Charles; Lin, JY; Jiang, HX (2011-07-18). "Micropantallas de alta resolución a escala completa de nitruro de III" . Applied Physics Letters . 99 (3): 031116. Bibcode : 2011ApPhL..99c1116D . doi : 10.1063/1.3615679 . ISSN 0003-6951 . 
  9. Jingyu Lin, Jacob Day, Donald Lie, Hongxing Jiang, Jing Li y Charles Bradford. "Micropantallas de nitruro del grupo III de alta resolución" . Sala de prensa de SPIE : 14 de diciembre de 2011.{{cite journal}}: CS1 maint: varios nombres: lista de autores ( enlace )
  10. Lin, JY; Jiang, HX (2020-03-09). "Desarrollo de microLED" . Applied Physics Letters . 116 (10): 100502. Bibcode : 2020ApPhL.116j0502L . doi : 10.1063/1.5145201 . ISSN 0003-6951 . S2CID 216297255 .  
  11. Micro LED . Hongxiang Jiang, Jingyu Lin. Cambridge, MA. 2021. ISBN 978-0-12-823063-3OCLC 1256450564 .​ {{cite book}}: CS1 maint: falta el editor de ubicación ( enlace ) CS1 maint: otros ( enlace )
  12. Jiang, HX; Lin, JY (2013-05-06). "Micro-LEDs de nitruro y más allá: una revisión del progreso de una década" . Optics Express . 21 (S3): A475-84. Bibcode : 2013OExpr..21A.475J . doi : 10.1364/OE.21.00A475 . ISSN 1094-4087 . PMID 24104436 .  
  13. JIANG HONGXING; LIN JINGYU; JIN SIXUAN. "Patente estadounidense 6,957,899, Diodos emisores de luz para funcionamiento con alto voltaje de CA e iluminación general" . worldwide.espacenet.com . Consultado el 5 de enero de 2022 .{{cite web}}: CS1 maint: varios nombres: lista de autores ( enlace )
  14. Fan, Zhaoyang; Jiang, Hongxing; Lin, Jingyu. "Patente estadounidense 7,221,044, emisor de luz heterogéneo integrado de alto voltaje CC/CA" . worldwide.espacenet.com . Consultado el 5 de enero de 2022 .{{cite web}}: CS1 maint: varios nombres: lista de autores ( enlace )
  15. Fan, Zhaoyang; Jiang, Hongxing; Lin, Jingyu. "Patente estadounidense 7,535,028, Lámpara indicadora de CA/CC de alto voltaje basada en Micro-LED" .{{cite web}}: CS1 maint: varios nombres: lista de autores ( enlace )
  16. Fan, Zhaoyang; Jiang, Hongxing; Lin, Jingyu. "Patente estadounidense 8,272,757, Lámpara de diodo emisor de luz capaz de funcionar con alto voltaje CA/CC" .{{cite web}}: CS1 maint: varios nombres: lista de autores ( enlace )
  17. Fan, Zhaoyang; Li, Jing; Lin, Jingyu; Jiang, Hongxing. "Patente estadounidense 7,714,348, diodos emisores de luz AC/DC con mecanismo de protección integrado" .{{cite web}}: CS1 maint: varios nombres: lista de autores ( enlace )
  18. "Programa SUVOS de DRAPA" . Junio ​​de 2002.
  19. "Programa CMUVT de DARPA" .
  20. «Programa DUVAP de DARPA» (PDF) .
  21. "Programa VIGIL de DARPA" .
  22. Dahal, R.; Pantha, B.; Li, J.; Lin, JY; Jiang, HX (2009-02-09). "Celdas solares de pozos cuánticos múltiples InGaN/GaN con longitudes de onda de operación largas" . Applied Physics Letters . 94 (6). Bibcode : 2009ApPhL..94f3505D . doi : 10.1063/1.3081123 . hdl : 2346/22892 . ISSN 0003-6951 . 
  23. Pantha, BN; Dahal, R.; Li, J.; Lin, JY; Jiang, HX; Pomrenke, G. (2008-01-28). "Propiedades termoeléctricas de las aleaciones InxGa1−xN" . Applied Physics Letters . 92 (4). doi : 10.1063/1.2839309 . hdl : 2346/22904 . ISSN 0003-6951 . 
  24. Aryal, K.; Pantha, BN; Li, J.; Lin, JY; Jiang, HX (2010-02-01). "Generación de hidrógeno mediante la división solar del agua utilizando celdas fotoelectroquímicas de p-InGaN" . Applied Physics Letters . 96 (5). Bibcode : 2010ApPhL..96e2110A . doi : 10.1063/1.3304786 . hdl : 2346/22876 . ISSN 0003-6951 . 
  25. Li, J.; Nam, KB; Nakarmi, ML; Lin, JY; Jiang, HX (2002-10-28). "Fotoluminiscencia de borde de banda de capas epitaxiales de AlN" . Applied Physics Letters . 81 (18): 3365– 3367. Bibcode : 2002ApPhL..81.3365L . doi : 10.1063/1.1518558 . ISSN 0003-6951 . 
  26. Nam, KB; Li, J.; Nakarmi, ML; Lin, JY; Jiang, HX (2004-06-21). "Propiedades ópticas únicas de aleaciones de AlGaN y emisores ultravioleta relacionados" . Applied Physics Letters . 84 (25): 5264– 5266. Bibcode : 2004ApPhL..84.5264N . doi : 10.1063/1.1765208 . hdl : 2346/22952 . ISSN 0003-6951 . 
  27. ^ Li, J.; Nombre, KB; Nakarmi, ML; Lin, JY; Jiang, HX; Portador, Pierre; Wei, Su-Huai (22 de diciembre de 2003). "Estructura de bandas y transiciones ópticas fundamentales en wurtzita AlN" . Letras de Física Aplicada . 83 (25): 5163– 5165. Código bibliográfico : 2003ApPhL..83.5163L . doi : 10.1063/1.1633965 . ISSN 0003-6951 . 
  28. Oder, TN; Shakya, J.; Lin, JY; Jiang, HX (11 de agosto de 2003). "Cristales fotónicos de nitruro de III" . Applied Physics Letters . 83 (6): 1231– 1233. Bibcode : 2003ApPhL..83.1231O . doi : 10.1063/1.1600839 . ISSN 0003-6951 . 
  29. Oder, TN; Kim, KH; Lin, JY; Jiang, HX (2004-01-26). "Diodos emisores de luz de cristal fotónico azul y ultravioleta de nitruro de III" . Applied Physics Letters . 84 (4): 466– 468. Bibcode : 2004ApPhL..84..466O . doi : 10.1063/1.1644050 . hdl : 2346/22956 . ISSN 0003-6951 . 
  30. Dahal, R.; Al Tahtamouni, TM; Fan, ZY; Lin, JY; Jiang, HX (2007-06-25). "Fotodetectores híbridos de barrera Schottky ultravioleta profundo AlN–SiC" . Applied Physics Letters . 90 (26). Bibcode : 2007ApPhL..90z3505D . doi : 10.1063/1.2752126 . hdl : 2346/22912 . ISSN 0003-6951 . 
  31. Nam, KB; Nakarmi, ML; Li, J.; Lin, JY; Jiang, HX (2003-08-04). "Nivel aceptor de Mg en AlN sondeado mediante fotoluminiscencia ultravioleta profunda" . Applied Physics Letters . 83 (5): 878– 880. Bibcode : 2003ApPhL..83..878N . doi : 10.1063/1.1594833 . ISSN 0003-6951 . 
  32. Nakarmi, ML; Nepal, N.; Ugolini, C.; Altahtamouni, TM; Lin, JY; Jiang, HX (2006-10-09). "Correlación entre las propiedades ópticas y eléctricas de las capas epitaxiales de AlN dopadas con Mg" . Applied Physics Letters . 89 (15). Bibcode : 2006ApPhL..89o2120N . doi : 10.1063/1.2362582 . hdl : 2346/22919 . ISSN 0003-6951 . 
  33. Zhu, K.; Nakarmi, ML; Kim, KH; Lin, JY; Jiang, HX (2004-11-15). "Dependencia del dopaje con silicio del Al0.7Ga0.3N de tipo n altamente conductor" . Applied Physics Letters . 85 (20): 4669– 4671. doi : 10.1063/1.1825055 . hdl : 2346/22943 . ISSN 0003-6951 . 
  34. Nakarmi, ML; Kim, KH; Zhu, K.; Lin, JY; Jiang, HX (2004-10-25). "Propiedades de transporte de AlxGa1−xN(x⩾0,7) de tipo n altamente conductor" . Applied Physics Letters . 85 (17): 3769– 3771. doi : 10.1063/1.1809272 . hdl : 2346/22947 . ISSN 0003-6951 . 
  35. Nakarmi, ML; Kim, KH; Khizar, M.; Fan, ZY; Lin, JY; Jiang, HX (2005-02-25). "Propiedades eléctricas y ópticas de aleaciones de Al0.7Ga0.3N dopadas con Mg" . Applied Physics Letters . 86 (9). doi : 10.1063/1.1879098 . ISSN 0003-6951 . 
  36. ^ Jiang, Hongxing. "Cita de Google Scholar" .
  37. Maity, A.; Grenadier, SJ; Li, J.; Lin, JY; Jiang, HX (2017-07-17). "Hacia el logro de detectores de neutrones de nitruro de boro hexagonal flexibles y de alta sensibilidad" . Applied Physics Letters . 111 (3): 033507. Bibcode : 2017ApPhL.111c3507M . doi : 10.1063/1.4995399 . ISSN 0003-6951 . OSTI 1416871 .  
  38. Maity, A.; Grenadier, SJ; Li, J.; Lin, JY; Jiang, HX (2018-01-28). "Detectores de neutrones de nitruro de boro hexagonal con altas eficiencias de detección" . Journal of Applied Physics . 123 (4): 044501. Bibcode : 2018JAP...123d4501M . doi : 10.1063/1.5017979 . ISSN 0021-8979 . OSTI 1418973 .  
  39. Maity, A.; Grenadier, SJ; Li, J.; Lin, JY; Jiang, HX (2020-04-06). "Detectores de neutrones de nitruro de boro hexagonal de alta eficiencia con áreas de detección de 1 cm2" . Applied Physics Letters . 116 (14): 142102. Bibcode : 2020ApPhL.116n2102M . doi : 10.1063/1.5143808 . ISSN 0003-6951 . OSTI 1799127. S2CID 215735172 .   
  40. Alemoush, Z.; Tingsuwatit, A.; Maity, A.; Li, J.; Lin, JY; Jiang, HX (2024-05-07). "Estado de los cristales cuasi-masivos de h-BN y detectores de neutrones de alta eficiencia" . Journal of Applied Physics . 135 (17). Bibcode : 2024JAP...135q5704A . doi : 10.1063/5.0179610 . hdl : 2346/98586 . ISSN 0021-8979 . 
  41. Jiang, HX; Lin, JY (1985-07-01). "Precesión de la órbita de Kepler" . American Journal of Physics . 53 (7): 694– 695. Bibcode : 1985AmJPh..53..694J . doi : 10.1119/1.14287 . ISSN 0002-9505 . 
  42. Eckart, Andreas (2005). El agujero negro en el centro de la Vía Láctea . Rainer Schödel, Christian Michael Straubmeier. Londres: Imperial College Press. ISBN 1-86094-739-5OCLC 568009152 
  43. T. Harada, T. Igata, H. Saida y Y. Takamori, «Fórmulas generales para el desplazamiento del periapsis de una órbita cuasicircular en espaciotiempos estáticos con simetría esférica y la densidad de masa gravitacional activa», International Journal of Modern Physics D 32, 2350098 (2023). https://doi.org/10.1142/S0218271823500980 https://arxiv.org/abs/2210.07516
  44. "Profesores Horn de la Universidad Tecnológica de Texas" .
  45. Jiang, Hongxing. "Ingeniería Eléctrica e Informática de la Universidad Tecnológica de Texas" .
  46. "Inventor de microLED recibe prestigioso premio internacional" . Texas Tech Today . 9 de diciembre de 2021.
  47. "La ceremonia de entrega del premio ISA "Global SSL Award of Outstanding Achievement" (AOA) 2021 se celebró el 6 de diciembre de 2021" . 6 de diciembre de 2021.
  48. ^ "国际半导体照明联盟(ISA)举行 2021年"全球半导体照明突出贡献奖"(AOA)颁奖典礼" . 6 de diciembre de 2021.
  49. Jiang, Hongxing (11 de diciembre de 2018). "Profesor de Ingeniería Eléctrica e Informática de Texas Tech nombrado miembro de la NAI" . Newswise.com .
  50. "Lista de miembros de la NAI" . Academia Nacional de Inventores .
  51. "Miembros electos de la AAAS" . Consultado el 5 de marzo de 2022 .
  52. "Hongxing Jiang" . spie.org . Consultado el 5 de marzo de 2022 .
  53. Jiang, Hongxing (11 de diciembre de 2013). "71 miembros de la Sociedad Óptica alcanzan el rango de Miembro Honorario" .
  54. "OPTICA anteriormente miembros asociados de OSA" .
  55. "Archivo de miembros de la APS" . Organización APS .