TRANVÍA

La memoria RAM de tiristores ( T-RAM ) es un tipo de memoria de acceso aleatorio que data de 2009, inventada y desarrollada por T-RAM Semiconductor, que se aleja de los diseños habituales de celdas de memoria , combinando los puntos fuertes de la DRAM y la SRAM : alta densidad y alta velocidad. ^{[ cita requerida ]} Esta tecnología, que explota la propiedad eléctrica conocida como resistencia diferencial negativa y se denomina tiristor delgado acoplado capacitivamente, ^[1] se utiliza para crear celdas de memoria capaces de alcanzar densidades de empaquetamiento muy altas. Debido a esto, la memoria es altamente escalable y ya tiene una densidad de almacenamiento varias veces superior a la que se encuentra en la SRAM 6T convencional . Se esperaba que la próxima generación de memoria T-RAM tuviera la misma densidad que la DRAM. ^{[ ¿ por quién? ]}

Esta tecnología explota la propiedad eléctrica conocida como resistencia diferencial negativa y se caracteriza por la forma en la que están construidas sus celdas de memoria, combinando la eficiencia de la DRAM en términos de espacio con la de la SRAM en términos de velocidad. Muy similar a las actuales 6T-SRAM, o memorias SRAM con transistores de 6 celdas, se diferencia sustancialmente porque el latch CMOS de la SRAM, formado por 4 de los 6 transistores de cada celda, se sustituye por un latch bipolar PNP-NPN de un único Tiristor. El resultado es reducir significativamente el área ocupada por cada celda, obteniendo así una memoria altamente escalable que ya ha alcanzado una densidad de almacenamiento varias veces superior a la actual SRAM.

La memoria Thyristor-RAM ofrece la mejor relación densidad/rendimiento disponible entre las distintas memorias integradas, igualando el rendimiento de una memoria SRAM, pero permitiendo una densidad de almacenamiento 2-3 veces mayor y un menor consumo de energía. Se espera que la nueva generación de memorias T-RAM tenga la misma densidad de almacenamiento que las DRAM.

• Memoria de computadora
• RAM
• DRACMA
• Memoria SDRAM
• Memoria volátil
• RAM Z

• Semiconductores T-RAM
• Descripción de T-RAM
  • Farid Nemati (T-RAM Semiconductor), Memoria RAM de tiristores (T-RAM): una memoria integrada de alta densidad y alta velocidad. Tecnología para CMOS a escala nanométrica / Conferencia Hot Chips 2007, 21 de agosto de 2007
• EE Times: GlobalFoundries aplicará RAM de tiristores en un nodo de 32 nm
• Semiconductor International: GlobalFoundries describe la hoja de ruta para el desarrollo de 22 nm ^{[ enlace muerto permanente ‍ ]}